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• 半导体研究所 [21]

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• 光电子学 [10]
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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlN材料外延技术及其应用研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017 杜泽杰 收藏  |   硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘广政 收藏  |   AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 田迎冬 收藏  |   采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文  OAI收割 光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033 周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中 收藏  |   自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究 期刊论文  OAI收割 稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  羊建坤;  段瑞飞;  霍自强;  魏同波 收藏  |   Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 期刊论文  OAI收割 材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120 作者:  薛海韵;  成步文;  薛春来 收藏  |   厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  刘斌;  陈涌海 收藏  |   UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318 周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明 收藏  |   非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1779-1782 作者:  赵冀 收藏  |   应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1740-1743 作者:  陈涌海;  杨少延 收藏  |