中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研... [14]
高能物理研究所 [3]
地理科学与资源研究所 [2]
宁波材料技术与工程研... [1]
过程工程研究所 [1]
青岛生物能源与过程研... [1]
更多
采集方式
OAI收割 [24]
内容类型
专利 [18]
期刊论文 [4]
学位论文 [2]
发表日期
2019 [24]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共24条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2019
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
一种具有有机无机双重保护层的金属锂负极
专利
OAI收割
专利号: CN201710202177.3, 申请日期: 2019-12-03,
作者:
崔光磊
;
张舒
;
王庆富
;
胡正林
;
董杉木
  |  
收藏
  |  
一种半导体激光器件及其谐振腔面钝化膜、制作方法
专利
OAI收割
专利号: WO2019184064A1, 申请日期: 2019-10-03, 公开日期: 2019-10-03
作者:
胡海
;
何晋国
;
苗春雨
  |  
收藏
  |  
一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN110289554A, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者:
窦志珍
;
曹广亮
;
刘留
;
苏小平
;
韩春霞
  |  
收藏
  |  
一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法
专利
OAI收割
专利号: CN110165551A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23
作者:
尚林
;
许并社
;
马淑芳
;
单恒升
;
郝晓东
  |  
收藏
  |  
一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法
专利
OAI收割
专利号: CN110137804A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16
作者:
  |  
收藏
  |  
一种高速掩埋DFB半导体激光器及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN110098562A, 申请日期: 2019-08-06, 公开日期: 2019-08-06
作者:
薛贤铨
  |  
收藏
  |  
半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器
专利
OAI收割
专利号: CN110086080A, 申请日期: 2019-08-02, 公开日期: 2019-08-02
作者:
程洋
;
王俊
;
赵智德
;
谭少阳
  |  
收藏
  |  
反应-扩散对锂电池枝晶抑制作用研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院大学, 2019
作者:
陈永修
  |  
收藏
  |  
激光投射模组
专利
OAI收割
专利号: CN109921278A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21
作者:
周锋
  |  
收藏
  |  
一种半导体发光器件及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN109860369A, 申请日期: 2019-06-07, 公开日期: 2019-06-07
作者:
钟志白
;
李佳恩
;
连燕玲
;
卓昌正
;
徐宸科
  |  
收藏
  |