机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2000 [2]
• 1993 [1]
• 1992 [1]

学科主题

• 半导体物理 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) cap layer on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2000, 卷号: 39, 期号: 9a, 页码: 5076-5079 Wang XD; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  strain-reduction  molecular beam epitaxy (MBE)  red shift  photoluminescence  1.3 MU-M  INGAAS  ENERGY   Study of self-assembled InAs quantum dot structure covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) capping layer 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2230-2234 Wang XD; Liu HY; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  cap layer  strain-reducing  redshift  MU-M  EMISSION  INGAAS   ELECTRIC-FIELD-INDUCED EXCITON-LINEWIDTH BROADENING IN SHORT-PERIOD GAAS/GAXAL1-XAS SUPERLATTICES 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 16, 页码: 12296-12299 ZHANG YH; JIANG DS; LI F; WU RH; ZHOU JM; MEI XB 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 GAAS-GAALAS SUPERLATTICES  QUANTUM-WELL STRUCTURES  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  INDUCED LOCALIZATION  BLUE SHIFT  BISTABILITY  ABSORPTION   WANNIER LOCALIZATION IN GAAS/GAALAS SUPERLATTICES UNDER ELECTRIC-FIELD 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1992, 卷号: 72, 期号: 7, 页码: 3209-3211 ZHANG YH; JIANG DS; LI F; ZHOU JM; MEI XB 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 EXCITON STARK LADDER  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  ABSORPTION-EDGE  BLUE SHIFT  QUANTIZATION