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西安光学精密机械研... [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
专利 [12]
发表日期
2018 [1]
2016 [1]
2005 [1]
2000 [1]
1998 [1]
1991 [1]
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共12条,第1-10条
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内容类型:专利
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Low resistance vertical cavity light source with PNPN blocking
专利
OAI收割
专利号: US10033156, 申请日期: 2018-07-24, 公开日期: 2018-07-24
作者:
DEPPE, DENNIS G.
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提交时间:2019/12/26
Dioda superluminescencyjna na bazie AlInGaN
专利
OAI收割
专利号: PL224641B1, 申请日期: 2016-06-10, 公开日期: 2017-01-31
作者:
PERLIN PIOTR
;
KAFAR ANNA
;
MAKAROWA IRINA
;
STAŃCZYK SZYMON
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提交时间:2019/12/26
Tunnel junctions for long-wavelength VCSELs
专利
OAI收割
专利号: US6933539, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23
作者:
BHAT, RAJARAM
;
NISHIYAMA, NOBUHIKO
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提交时间:2019/12/24
Doping of germanium and silicon crystals with non-hydrogenic acceptors for far infrared lasers
专利
OAI收割
专利号: US6011810, 申请日期: 2000-01-04, 公开日期: 2000-01-04
作者:
HALLER, EUGENE E.
;
BRUNDERMANN, ERIK
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提交时间:2019/12/24
藍-綠激光二極管
专利
OAI收割
专利号: HK1001353A, 申请日期: 1998-06-12, 公开日期: 1998-06-12
作者:
MICHAEL, A HAASE
;
HWA CHENG
;
JAMES M. DEPUYDT
;
JUN QIU
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提交时间:2020/01/18
Multi quantum well light emitting element
专利
OAI收割
专利号: JP1991030486A, 申请日期: 1991-02-08, 公开日期: 1991-02-08
作者:
YAMAZAKI HIROYUKI
;
KITAMURA MITSUHIRO
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提交时间:2020/01/18
Multiple quantum well semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989241884A, 申请日期: 1989-09-26, 公开日期: 1989-09-26
作者:
KAWABATA TOSHIHARU
;
ISHIGURO NAGATAKA
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1985225488A, 申请日期: 1985-11-09, 公开日期: 1985-11-09
作者:
MAMINE TAKAYOSHI
;
OKADA TSUNEICHI
;
YONEYAMA OSAMU
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提交时间:2020/01/13
Diffusion barrier for long wavelength laser diodes
专利
OAI收割
专利号: US4479222, 申请日期: 1984-10-23, 公开日期: 1984-10-23
作者:
HAWRYLO, FRANK Z.
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor devices
专利
OAI收割
专利号: GB1170799A, 申请日期: 1969-11-19, 公开日期: 1969-11-19
作者:
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提交时间:2020/01/13