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西安光学精密机械研... [30]
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OAI收割 [30]
内容类型
专利 [30]
发表日期
2010 [1]
2007 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1998 [1]
1995 [3]
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共30条,第1-10条
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内容类型:专利
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Semiconductor laser device including highly reflective coating film
专利
OAI收割
专利号: US7826507, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02
作者:
NISHIGUCHI, HARUMI
;
MATSUOKA, HIROMASU
;
NAKAGAWA, YASUYUKI
;
KUNITSUGU, YASUHIRO
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提交时间:2019/12/26
Electroluminescent device with high refractive index and UV-resistant encapsulant
专利
OAI收割
专利号: US20070295968A1, 申请日期: 2007-12-27, 公开日期: 2007-12-27
作者:
TAN, KHENG LENG
;
CHUA, JANET BEE YIN
;
NG, KEE YEAN
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提交时间:2019/12/30
Semiconductor laser device capable of suppressing leakage current in a light emitting and surface and method for manufacturing same
专利
OAI收割
专利号: US20020064200A1, 申请日期: 2002-05-30, 公开日期: 2002-05-30
作者:
OSHIMA, NOBORU
;
SAKATA, MASAHIKO
;
YOKOTA, MAKOTO
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提交时间:2020/01/18
Signal band antireflection coating for pump facet in fiber amplifier system
专利
OAI收割
专利号: US6330264, 申请日期: 2001-12-11, 公开日期: 2001-12-11
作者:
KUSSMAUL, ANDREAS
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提交时间:2019/12/26
超短パルスレーザ光発生装置
专利
OAI收割
专利号: JP2760451B2, 申请日期: 1998-03-20, 公开日期: 1998-05-28
作者:
広瀬 正則
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提交时间:2019/12/26
半導体レ-ザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1995093472B2, 申请日期: 1995-10-09, 公开日期: 1995-10-09
作者:
南原 成二
;
片山 尊夫
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提交时间:2020/01/18
Optical gain medium having doped nanocrystals of semiconductors and also optical scatterers
专利
OAI收割
专利号: US5434878, 申请日期: 1995-07-18, 公开日期: 1995-07-18
作者:
LAWANDY, NABIL R.
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提交时间:2019/12/26
半導体レ-ザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1995032290B2, 申请日期: 1995-04-10, 公开日期: 1995-04-10
作者:
粂 雅博
;
伊藤 国雄
;
清水 裕一
;
吉川 則之
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提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994007636B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
作者:
浜田 弘喜
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor element and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1992035081A, 申请日期: 1992-02-05, 公开日期: 1992-02-05
作者:
KANEKO KUMIKO
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提交时间:2020/01/13