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采集方式
OAI收割 [15]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [14]
专利 [2]
发表日期
2011 [16]
学科主题
光电子学 [5]
半导体物理 [3]
半导体材料 [2]
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浏览/检索结果:
共16条,第1-10条
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发表日期:2011
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EFFECTS OF Cl- CONCENTRATION AND TEMPERATURE ON THE CORROSION BEHAVIOR OF ALLOY 690 IN BORATE BUFFER SOLUTION
期刊论文
OAI收割
ACTA METALLURGICA SINICA, 2011, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 809-815
作者:
Huang Fa
;
Wang Jianqiu
;
Han En-Hou
;
Ke Wei
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提交时间:2021/02/02
alloy 690
passive film
potentiodynamic polarization
electrochemical impedence spectroscopy (EIS)
Mott-Scottky relation
Metal electrode influence on the wet selective etching of gaas/algaas
期刊论文
iSwitch采集
Journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wang Jie
;
Han Qin
;
Yang Xiao-Hong
;
Wang Xiu-Ping
;
Ni Hai-Qiao
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浏览/下载:120/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Chromium alloys
Copper alloys
Electrochemical analysis
Electrochemical electrodes
Etching
Gallium arsenide
Gold alloys
Iii-v semiconductors
Metallic thin films
Titanium alloys
Ii-vi mqw vscel on a heat sink optically pumped by a GAN ld
专利
OAI收割
专利号: US20110150020A1, 申请日期: 2011-06-23, 公开日期: 2011-06-23
作者:
HAASE, MICHAEL A.
;
MILLER, THOMAS J.
;
SUN, XIAOGUANG
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/31
EFFCTS OF pH AND Cl- CONCENTRATION ON THE CORROSION BEHAVIOR OF COPPER IN BORIC ACID BUFFER SOLUTION
期刊论文
OAI收割
ACTA METALLURGICA SINICA, 2011, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 354-360
作者:
Wang Changgang
;
Dong Junhua
;
Ke Wei
;
Chen Nan
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/02/02
geological disposal of high level radioactive waste
Cu2O passive film
stability
electrochemical impedance spectroscopy (EIS)
Mott-Schottky method
A temperature control device for optoelectronic devices
专利
OAI收割
专利号: WO2011003871A1, 申请日期: 2011-01-13, 公开日期: 2011-01-13
作者:
KIM, YOUNG-HEE
;
VLASOV, YURII
;
GREEN, WILLIAM, MICHAEL
;
ASSEFA, SOLOMON
;
VAN CAMPENHOUT, JORIS
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提交时间:2019/12/30
Structural, elastic properties and pressure-induced phase transition of 'half-Heusler' alloy CoVSb
期刊论文
OAI收割
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 5, 页码: 2611-2616
B. Kong
;
X. R. Chen
;
J. X. Yu
;
C. L. Cai
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提交时间:2012/04/13
CoVSb
Elastic properties
Pressure-induced phase transition
Generalized gradient approximation
electronic-structure
metallic ferromagnet
physical-properties
room-temperature
thin-films
crystals
magnetoresistance
semiconductor
instabilities
constants
Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
Jin, L
;
Zhou, HY
;
Qu, SC
;
Wang, ZG
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提交时间:2012/02/06
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GROWTH
SEMICONDUCTORS
NANOSTRUCTURES
COMPUTATION
INGAAS
GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection
期刊论文
OAI收割
optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413
Su SJ
;
Cheng BW
;
Xue CL
;
Wang W
;
Cao QA
;
Xue HY
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Zuo YH
;
Wang QM
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PERFORMANCE
SEMICONDUCTORS
SILICON
Structure, Stress State and Piezoelectric Property of GaN Nanopyramid Arrays
期刊论文
OAI收割
applied physics express, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: article no.45001
Liu JQ
;
Wang JF
;
Gong XJ
;
Huang J
;
Xu K
;
Zhou TF
;
Zhong HJ
;
Qiu YX
;
Cai DM
;
Ren GQ
;
Yang H
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提交时间:2011/07/05
OUTPUT VOLTAGE
NANOWIRES
NANOGENERATORS
GROWTH
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:71/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1