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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Physical Description of Quasi-Saturation and Impact-Ionization Effects in High-Voltage Drain-Extended MOSFETs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2009, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 492-498 Wang, L; Wang, J; Gao, C; Hu, J; Li, P; Li, WJ; Yang, SHY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 MODEL  TRANSISTORS  CIRCUIT  DESIGN  ANALOG   Behavior of substrate enhanced electron injection in advanced deep sub-micron NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 493-499 Wang,QX; Sun,LX; Yap,A; Zhang,YJ; Li,H; Liu,SH; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 HOT-CARRIER DEGRADATION  THICK SIO2 OXIDES  IMPACT IONIZATION  MOSFETS  CHANNEL  MEMORY  CELLS  MODEL  NBTI  1ST   Terahertz-induced electron-hole pair generation in semiconductor heterojunctions 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005, 卷号: 46, 页码: S109-S111 Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/12/17 IMPACT IONIZATION  TRANSPORT  FIELD   Terahertz-induced electron-hole pair generation in semiconductor heterojunctions 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005, 卷号: 46, 页码: S109-S111 Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/12/02 IMPACT IONIZATION  TRANSPORT  FIELD   Counterintuitive behavior of electron temperature in terahertz-driven heterojunctions 期刊论文  OAI收割 IRMMW-THz2005: The Joint 30th International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 13th International Conference on Terahertz Electronics, Vols 1 and 2, 2005, 页码: 146-147 Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/12/17 BALANCE-EQUATION APPROACH  IMPACT IONIZATION  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT  SYSTEMS  FIELD   Resonant optical absorption in semiconductor quantum wells 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 2504-2506 Yu, LY; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/12/17 ELECTRON-PHONON INTERACTION  BALANCE-EQUATION APPROACH  FREE-CARRIER ABSORPTION  IMPACT IONIZATION  HETEROSTRUCTURES  COEFFICIENT  SCATTERING  GAAS   Nonparabolic multivalley balance-equation approach to high-field electron transport and impact ionization in ZnS: Comparison with full-band Monte Carlo simulations 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2004, 卷号: 69, 期号: 16, 页码: 165203-165203 Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/12/17 MULTIPLICATION  SEMICONDUCTORS  DEVICES   Resonant optical absorption in semiconductor quantum wells 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 2504-2506 Yu, LY; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/12/02 ELECTRON-PHONON INTERACTION  BALANCE-EQUATION APPROACH  FREE-CARRIER ABSORPTION  IMPACT IONIZATION  HETEROSTRUCTURES  COEFFICIENT  SCATTERING  GAAS   Nonparabolic multivalley balance-equation approach to high-field electron transport and impact ionization in ZnS: Comparison with full-band Monte Carlo simulations 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2004, 卷号: 69, 期号: 16, 页码: 165203-165203 Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/12/02 MULTIPLICATION  SEMICONDUCTORS  DEVICES   Linear and nonlinear electron transport in modulation-doped AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2004, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-53 Cao, JC; Yao, W 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2011/12/17 MONTE-CARLO CALCULATION  WURTZITE GAN  IMPACT IONIZATION  BULK ZINCBLENDE  GALLIUM NITRIDE