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• 半导体研究所 [56]

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• OAI收割 [56]

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• 期刊论文 [51]
• 会议论文 [5]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [56]

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浏览/检索结果: 共56条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Stability of the positively charged manganese centre in GaAs heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the Gamma critical point 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 10, 页码: 100301, 100301 作者:  Wang, LG;  Shen, C;  Zheng, HZ;  Zhu, H;  Zhao, JH   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 charged acceptor centre  screening effect  exchange interaction  SHALLOW ACCEPTOR STATES  GALLIUM-ARSENIDE  SEMICONDUCTORS  FIELD  Charged Acceptor Centre  Screening Effect  Exchange Interaction  Shallow Acceptor States  Gallium-arsenide  Semiconductors  Field   Origin of insulating behavior of the p-type LaAlO3/SrTiO3 interface: Polarization-induced asymmetric distribution of oxygen vacancies 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125412, Art. No. 125412 作者:  Zhang LX (Zhang Lixin);  Zhou XF (Zhou Xiang-Feng);  Wang HT (Wang Hui-Tian);  Xu JJ (Xu Jing-Jun);  Li JB (Li Jingbo)   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/11 INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  Initio Molecular-dynamics  Electron Gases  Heterostructures  Transition  ELECTRON GASES  HETEROSTRUCTURES  TRANSITION   The Hartman effect in graphene 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 4, 页码: art. no. 043702 作者:  Wu ZH 收藏  |  浏览/下载：171/66  |  提交时间：2010/03/08 graphene  tunnelling   Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：82/4  |  提交时间：2010/03/08 EMISSION  SPECTRA  LASERS  8-BAND   Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: art.no.100206 Lu SL (Lu, Shulong); Nosho H (Nosho, Hidetaka); Tackeuchi A (Tackeuchi, Atsushi); Bian LF (Bian, Lifeng); Dong JR (Dong, Jianrong); Niu ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：175/28  |  提交时间：2010/03/08 ALLOYS   Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 会议论文  OAI收割 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/09 EMISSION   Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802 Ruan J; Yu TJ; Jia CY; Tao RC; Wang ZG; Zhang GY 收藏  |  浏览/下载：87/2  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL LASERS  OPTICAL GAIN  EMISSION  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SPECTRA  ORIGIN  ENERGY   Optical properties of InGaAs/GaAs quantum chains 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 3, 页码: 1908-1912 Wang, BR; Sun, Z; Xu, ZY; Sun, BQ; Ji, Y; Wang, ZM; Salamo, GJ 收藏  |  浏览/下载：67/1  |  提交时间：2010/03/08 InGaAs/GaAs  quantum dots  quantum chains   Uniaxial Strain Effects on Optical Properties of c-plane Wurtzite GaN 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4139-4142 Hao, GD; Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL LASERS  DIODES  SAPPHIRE   Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3440-3443 Dou, XM; Sun, BQ; Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：69/1  |  提交时间：2010/03/08 CARRIER RELAXATION  ENERGY RELAXATION  LINE-SHAPE  EMISSION  DENSITY