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发表日期:2002
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半導体レーザ素子およびその作製方法および半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステムおよび光ピックアップシステムおよび電子写真システム
专利
OAI收割
专利号: JP2002368335A, 申请日期: 2002-12-20, 公开日期: 2002-12-20
作者:
軸谷 直人
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3382817B2, 申请日期: 2002-12-20, 公开日期: 2003-03-04
作者:
渡辺 昌規
;
石田 真也
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提交时间:2020/01/18
一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN1385906, 申请日期: 2002-12-18, 公开日期: 2002-12-18
张苗
;
吴雁军
;
刘卫丽
;
安正华
;
林成鲁
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提交时间:2012/01/06
Integrated unit, optical pickup, and optical recording medium drive device
专利
OAI收割
专利号: US6496469, 申请日期: 2002-12-17, 公开日期: 2002-12-17
作者:
UCHIZAKI, ICHIRO
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提交时间:2019/12/23
半导体激光装置
专利
OAI收割
专利号: CN1384568A, 申请日期: 2002-12-11, 公开日期: 2002-12-11
作者:
福永敏明
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提交时间:2020/01/18
A1GaInP-based high-output red semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US20020181528A1, 申请日期: 2002-12-05, 公开日期: 2002-12-05
作者:
HIROYAMA, RYOJI
;
INOUE, DAIJIRO
;
NOMURA, YASUHIKO
;
TAKEUCHI, KUNIO
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提交时间:2020/01/18
Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite gan epilayers
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391
作者:
Xu, SJ
;
Zheng, LX
;
Cheung, SH
;
Xie, MH
;
Tong, SY
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提交时间:2019/05/12
Structural characterization of epitaxial lateral overgrown gan on patterned gan/gaas(001) substrates
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72
作者:
Shen, XM
;
Fu, Y
;
Feng, G
;
Zhang, BS
;
Feng, ZH
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Epitaxial lateral overgrowth
Metalorganic vapor phase epitaxy
Cubic gallium nitride
発光ダイオード
专利
OAI收割
专利号: JP3373561B2, 申请日期: 2002-11-22, 公开日期: 2003-02-04
作者:
菅原 秀人
;
板谷 和彦
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提交时间:2019/12/26
Self-separating laser diode assembly and method
专利
OAI收割
专利号: US20020172244A1, 申请日期: 2002-11-21, 公开日期: 2002-11-21
作者:
LI, PENG-CHIH
;
TERRY, TODD
;
LANG, ROBERT
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提交时间:2019/12/30