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  • 2005 [291]
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Ge基和GaAs基中自旋相关性质的第一性原理研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2005
作者:  周孝好
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半導体レーザ素子およびその製造方法、光ディスク装置、光伝送システム 专利  OAI收割
专利号: JP2005353678A, 申请日期: 2005-12-22, 公开日期: 2005-12-22
作者:  岸本 克彦
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2005353654A, 申请日期: 2005-12-22, 公开日期: 2005-12-22
作者:  小野 健一;  竹見 政義
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Magnetron sputtering growth of inas0.3sb0.7 films on (100) gaas substrates: strong effect of growth conditions on film structure 期刊论文  iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:  Peng, CT;  Chen, NF;  Wu, JL;  Yin, ZG;  Yu, Y
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12
喷射沉积制备新型电子封装材料70％Si-Al的研究 期刊论文  OAI收割
金属学报, 2005, 期号: 12, 页码: 1277-1279
王晓峰; 赵九洲; 田冲
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/04/12
有源區中含銦的垂直腔面發射激光器 专利  OAI收割
专利号: HK1075334A, 申请日期: 2005-12-09, 公开日期: 2005-12-09
作者:  R.H.約翰遜
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Inas/gaas quantum-dot superluminescent diodes with 110 nm bandwidth 期刊论文  iSwitch采集
Electronics letters, 2005, 卷号: 41, 期号: 25, 页码: 1400-1402
作者:  Liu, N;  Jin, P;  Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12
半导体发光器件用外延片和半导体发光器件 专利  OAI收割
专利号: CN1705143A, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2005-12-07
作者:  铃木良治;  大石昭夫
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半导体激光元件 专利  OAI收割
专利号: CN1705178A, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2005-12-07
作者:  和田一彦;  宫嵜启介
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Gaas-based room-temperature continuous-wave 1.59 mu m gainnassb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 23, 页码: 3
作者:  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  Wu, DH;  Zhao, H
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