机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2005 [11]

学科主题

• 光电子学 [11]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dynamics of Cavity Polaritons in a GaAs Quantum-well Semiconductor Microcavity 期刊论文  OAI收割 光子学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 793-796 Liu Wenkai; An Yanwei; Lin Shiming; Zhang Cunshan; Zhang Changnian 收藏  |   128×160元GaAs／AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 2044-2047 作者:  苏艳梅;  陈良惠 收藏  |   Self-starting passively mode-locking all-solid-state laser with GaAs absorber grown at low temperature 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 2575-2577 Jia YL; Ling WJ; Wei ZY; Wang YG; Ma XY 收藏  |   Comparative study of InAs quantum dots grown on different GaAs substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 3-4, 页码: 297-304 Liang, S; Zhu, HL; Pan, JQ; Hou, LP; Wang, W 收藏  |   A GaAs-Based MOEMS Tunable RCE Photodetector with Single Cantilever Beam 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1087-1093 作者:  Han Qin;  Yang Xiaohong 收藏  |   大功率GaInP／AlGaInP半导体激光器 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2213-2217 作者:  陈良惠 收藏  |   The effect of a combined InAlAs and GaAs strained buffer layer on the structure and optical property of InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 77-82 作者:  Jin P;  Ye XL;  Xu B 收藏  |   Theoretical Analysis of Gain and Threshold Current Density for Long Wavelength GaAs-Based Quantum-Dot Lasers 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1898-1904 作者:  Yu Lijuan 收藏  |   Effect of annealing on optical properties of InAs quantum dots grown by MOCVD on GaAs (100) vicinal substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 2692-2695 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |   GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器 期刊论文  OAI收割 光电子·激光, 2005, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 159-163 作者:  韩勤;  彭红玲;  杨晓红 收藏  |