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• 半导体研究所 [14]

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• OAI收割 [14]

内容类型

• 期刊论文 [14]

发表日期

• 2011 [1]
• 2007 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [14]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475 Gao FB (Gao Fubao); Chen NF (Chen NuoFu); Liu L (Liu Lei); Zhang XW (Zhang X. W.); Wu JL (Wu Jinliang); Yin ZG (Yin Zhigang) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 crystal structure   Fabrication and properties of Sb-doped ZnO thin films grown by radio frequency (RF) magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 1, 页码: 56-60 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 crystal structure  thermal annealing  X-ray diffraction  RF magnetron sputtering  zinc oxide  semiconducting II-VI materials  P-TYPE ZNO  SPRAY-PYROLYSIS  ZINC-OXIDE   Magnetron sputtering growth of InAs0.3Sb0.7 films on (100) GaAs substrates: Strong effect of growth conditions on film structure 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：304/5  |  提交时间：2010/04/11 crystal structure  magnetron sputtering  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INAS1-XSBX  ALLOYS  INASSB  INSB   Preparation and characterization of Si sheets by renewed SSP technique 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 446-454 Ai B; Shen H; Ban Q; Wang XJ; Liang ZC; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：224/46  |  提交时间：2010/03/09 crystal structure   Liquid phase epitaxy of Al0.3Ga0.7As islands 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 38-41 Sun, J; Hu, LZ; Sun, YC; Wang, ZY; Zhang, HZ 收藏  |  浏览/下载：423/56  |  提交时间：2010/03/09 crystal morphology   Effects of the crystal structure on electrical and optical properties of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 230-238 Wan DY; Wang YT; Wang BY; Ma CX; Sun H; Wei L 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 crystal structure  sulfidation of iron films  iron pyrite films  semiconducting materials  solar cells  THIN-FILMS  ELECTRODEPOSITION  ATMOSPHERE  PRESSURE   Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82 Ye ZZ; Ma DW; He JH; Huang JY; Zhao BH; Luo XD; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：487/1  |  提交时间：2010/08/12 characterization  crystal structure  DC sputtering  alloys  zinc compounds  semiconducting II-VI materials  THIN-FILMS  ROOM-TEMPERATURE  ULTRAVIOLET-LASER  SPRAY-PYROLYSIS  ZNO  MGXZN1-XO  EMISSION  ALLOY   Realization of quantum cascade laser operating at room temperature 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289 作者:  Jin P;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 crystal structure  lattice-mismatch  microsctucture  radiation  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  infrared devices  quantum cascade laser  MU-M   A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：77/8  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  crystal morphology  atomic force microscopy  nitrides  AIN BUFFER LAYER  SAPPHIRE