机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [2]
• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体材料 [7]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301 作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：310/47  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  II-VI semiconductors  indium compounds  interface states  polarisation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra  zinc compounds   Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107 Zhang BL; Sun GS; Guo Y; Zhang PF; Zhang RQ; Fan HB; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：231/42  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  indium compounds  interface states  semiconductor heterojunctions  silicon compounds  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Magnetic coupling properties of mn-doped ZnO nanowires: First-principles calculations 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 7, 页码: art. no. 073903 Shi, H; Duan, Y 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2010/03/08 HIGH CURIE-TEMPERATURE  SPINODAL-DECOMPOSITION  ROOM-TEMPERATURE  1ST PRINCIPLES  THIN-FILMS  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  STABILIZATION  GROWTH  PHASE   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文  OAI收割 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：321/10  |  提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION  BEAM EPITAXY TECHNIQUE  SEMICONDUCTING SILICIDES  INDUCED FERROMAGNETISM  FILMS  MAGNETORESISTANCE  TEMPERATURE  ALLOYS   Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 期刊论文  OAI收割 solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133 Sheng SR; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  stability  A-SI-H  CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  URBACH EDGE  SOLAR-CELLS  GAP STATES  ABSORPTION  DENSITY  SPECTROSCOPY  INCREASE