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半導体基板の傾斜端面形成法 专利  OAI收割
专利号: JP1996021576B2, 申请日期: 1996-03-04, 公开日期: 1996-03-04
作者:  
高堂 宣和;  杉本 満則
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26
Fabricating method of micro lens 专利  OAI收割
专利号: US5316640, 申请日期: 1994-05-31, 公开日期: 1994-05-31
作者:  
WAKABAYASHI, SHINICHI;  TOUGOU, HITOMARO;  TOYODA, YUKIO;  OHKI, YOSHIMASA
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/24
- 专利  OAI收割
专利号: JP1989049029B2, 申请日期: 1989-10-23, 公开日期: 1989-10-23
作者:  
WADA OSAMU;  NOBUHARA HIROYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor structure 专利  OAI收割
专利号: JP1989232715A, 申请日期: 1989-09-18, 公开日期: 1989-09-18
作者:  
FUKUZAWA TADASHI;  ITO KAZUHIRO;  NAKAMURA HITOSHI;  MATSUDA HIROSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988318187A, 申请日期: 1988-12-27, 公开日期: 1988-12-27
作者:  
YAGI KATSUMI
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/18