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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Improvement of Passivation Quality by Post-Crystallization Treatments with Different Methods for High Quality Tunnel Oxide Passivated Contact c-Si Solar Cells 会议论文  OAI收割 JUN 16-21, 2019 作者:  Zhang, Zhi;  Zeng, Yuheng;  Huang, Yuqing;  Guo, Xueqi;  Wang, Zhixue   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/12/02 SILICON  TEMPERATURE   The electronic structure and passivation mechanism of CZTS grain boundaries revealed by comparative study with CIGS using scanning probe microscopy 会议论文  OAI收割 Los Angeles, California, 2018 作者:  Guo Chen;  Kang Zhou;  Ye Feng;  Hailin Luo;  Guohua Zhong   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/01/31 Surface passivation of 1550nm AlxInyAsSb avalanche photodiode 会议论文  OAI收割 Beijing, China, 2018-10-11 作者:  Guo, Chunyan;  Lv, Yuexi;  Zheng, Da'nong;  Sun, Yaoyao;  Jiang, Zhi   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2018/12/21 Lateral thermal dissipation of InP-based InGaAsP ridge waveguide laser 会议论文  OAI收割 Beijing, China, 2018-10-12 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/03/12 Extended Wavelength InGaAs SWIR FPAs with High Performance 会议论文  OAI收割 作者:  Li X;  Li T;  Yu CL;  Tang HJ;  Deng SY   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/11/20 extended InGaAs  perimeter-to-area photodiodes  SWIR FPAs   00-nm Gate-Length GaAs mHEMTs using Si-doped InP/InAlAs schottky layers and atomic layer deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz 会议论文  OAI收割 作者:  Wang SK(王盛凯);  Chang HD(常虎东)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/18 Improvement on the Si/PEDOT:PSS hybrid solar cells by rear-sided passivation with SiNx:H layers 会议论文  OAI收割 APR 11-12, 2016 作者:  Ye, Jichun;  Sun, Yiling;  Sun, YL;  Xiang, Yong;  Gao, Pingqi   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/01/12 Si/pedot:Pss  Hybrid Solar Cells  Sinx:h Passivation   Improvement on the Si/PEDOT:PSS hybrid solar cells by rear-sided passivation with SiNx:H layers 会议论文  OAI收割 APR 11-12, 2016 作者:  Sun, Yiling;  Ye, Jichun;  Gao, Pingqi;  Xiang, Yong   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/12/02 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-NITRIDE FILMS  TEMPERATURE   Comparative Study of AlGaN/GaN HEMTs with LPCVD- and PECVD-SiNx Passivation 会议论文  OAI收割 作者:  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/15 The surface passivation on the optical and surface properties of InP 会议论文  OAI收割 12th China International Nanoscience and Technology Symposium, and the Nano-Products Exposition, CINSTS 2013, October 27, 2013 - October 31, 2013, Chengdu, China 作者:  Gao X. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/04/27