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采集方式

• OAI收割 [14]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [4]
• 专利 [2]

发表日期

• 2017 [16]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2017     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Aligning and directly optically coupling photodetectors to optical demultiplexer outputs in a multichannel receiver optical subassembly 专利  OAI收割 专利号: US9703054, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2017-07-11 作者:  HO, I-LUNG;  PENG, LUOHAN;  LI, JOYCE   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 An ultrafast front-end asic for apd array detectors in x-ray time-resolved experiments 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics c, 2017, 卷号: 41, 期号: 6, 页码: 8 作者:  Zhou, Yang-Fan;  Li, Qiu-Ju;  Liu, Peng;  Fan, Lei;  Xu, Wei 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/04/23 Time-resolved  Apd  Asic  Synchrotron x-ray   Development of picosecond time-resolved x-ray absorption spectroscopy by high-repetition-rate laser pump/x-ray probe at beijing synchrotron radiation facility 期刊论文  iSwitch采集 Journal of synchrotron radiation, 2017, 卷号: 24, 页码: 667-673 作者:  Wang, Hao;  Yu, Can;  Wei, Xu;  Gao, Zhenhua;  Xu, Guang-Lei 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/04/23 Laser pump  X-ray probe  X-ray absorption spectroscopy  High repetition rate   Key Surface Lighting 专利  OAI收割 专利号: US20170040127A1, 申请日期: 2017-02-09, 公开日期: 2017-02-09 作者:  CHANG, RAY L.;  PROIE, JR., ROBERT M.   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1629-1635 作者:  Wang FF;  Chen JX   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/11/20 Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes 会议论文  OAI收割 作者:  Jin C;  Wang FF;  Xu QQ;  Yu CZ;  Chen JX   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/11/20 High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/11/20 InAs/GaAsSb superlattices  InAs substrates  strain balance  quantum efficiency  detectivity   MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with barrier structures 会议论文  OAI收割 作者:  Xu ZC;  Chen JX;  Wang FF;  Zhou Y;  Bai ZZ   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/11/20 Noise characteristics analysis of short wave infrared InGaAs focal plane arrays 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 85, 页码: 74-80 作者:  Yu CL;  Li X;  Yang B;  Huang SL;  Shao XM   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/20 InGaAs  FPAs  Noise characteristics  Capacitance of detectors   Extended Wavelength InGaAs SWIR FPAs with High Performance 会议论文  OAI收割 作者:  Li X;  Li T;  Yu CL;  Tang HJ;  Deng SY   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/11/20 extended InGaAs  perimeter-to-area photodiodes  SWIR FPAs