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• 上海技术物理研究所 [24]

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学科主题

• 红外基础研究 [5]
• 红外探测器材料与器件 [1]
• 红外系统与元部件 [1]

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Design of low noise avalanche photodiode single element detectors and linear arrays through CMOS process 会议论文  OAI收割 作者:  Cheng Zhengxi;  Xu Heliang;  Chen Yongping   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/11/13 无   Light-harvesting for high quantum efficiency in InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices long wavelength infrared photodetectors 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114, 期号: 14, 页码: 141102 作者:  Huang Min;  Chen Jianxin;  Zhou Yi;  Xu Zhicheng;  He Li   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/11/13 PHOTODIODES  ENHANCEMENT   Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1629-1635 作者:  Wang FF;  Chen JX;  Xu ZC;  Zhou Y;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/11/20 Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes 会议论文  OAI收割 作者:  Jin C;  Wang FF;  Xu QQ;  Yu CZ;  Chen JX   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/11/20 High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  Xu ZC;  Chen JX;  Wang FF;  Zhou Y;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/11/20 InAs/GaAsSb superlattices  InAs substrates  strain balance  quantum efficiency  detectivity   MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with barrier structures 会议论文  OAI收割 作者:  Xu ZC;  Chen JX;  Wang FF;  Zhou Y;  Bai ZZ   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/11/20 Noise characteristics analysis of short wave infrared InGaAs focal plane arrays 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 85, 页码: 74-80 作者:  Yu CL;  Li X;  Yang B;  Huang SL;  Shao XM   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/20 InGaAs  FPAs  Noise characteristics  Capacitance of detectors   Extended Wavelength InGaAs SWIR FPAs with High Performance 会议论文  OAI收割 作者:  Li X;  Li T;  Yu CL;  Tang HJ;  Deng SY   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/11/20 extended InGaAs  perimeter-to-area photodiodes  SWIR FPAs   Photocurrent Enhancement of HgTe Quantum Dot Photodiodes by Plasmonic Gold Nano rod Structures 期刊论文  OAI收割 ACS NANO, 2014, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 8208-8216 - 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/05/16 quantum dot  surface plasmon  heterojunction  exciton   Temperature dependence on photosensitive area extension in mercury cadmium telluride photodiodes using laser beam induced current 期刊论文  OAI收割 OPTICAL ENGINEERING, 2012, 卷号: 51, 期号: 3 作者:  Chen, YG;  Hu, WD;  Chen, XS;  Ye, ZH;  Wang, J   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/03/18