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半導体レ-ザ装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994101609B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:  
長谷川 光利;  原 利民;  野尻 英章;  関口 芳信;  宮沢 誠一
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Manufacture of semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1987269386A, 申请日期: 1987-11-21, 公开日期: 1987-11-21
作者:  
HASEGAWA MITSUTOSHI;  HARA TOSHITAMI;  NOJIRI HIDEAKI;  SEKIGUCHI YOSHINOBU;  MIYAZAWA SEIICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1987269384A, 申请日期: 1987-11-21, 公开日期: 1987-11-21
作者:  
HARA TOSHITAMI;  NOJIRI HIDEAKI;  SEKIGUCHI YOSHINOBU;  HASEGAWA MITSUTOSHI;  MIYAZAWA SEIICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1987269381A, 申请日期: 1987-11-21, 公开日期: 1987-11-21
作者:  
HASEGAWA MITSUTOSHI;  HARA TOSHITAMI;  NOJIRI HIDEAKI;  SEKIGUCHI YOSHINOBU;  MIYAZAWA SEIICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1987269383A, 申请日期: 1987-11-21, 公开日期: 1987-11-21
作者:  
HARA TOSHITAMI;  NOJIRI HIDEAKI;  SEKIGUCHI YOSHINOBU;  HASEGAWA MITSUTOSHI;  MIYAZAWA SEIICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18