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浏览/检索结果: 共50条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0001) AlN/sapphire using growth mode modification process 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017 作者:  Su, Xujun（苏旭军）;  Zhang, Jicai（张纪才）;  Huang, Jun（黄俊）;  Zhang, Jinping（张锦平）;  Wang, Jianfeng（王建峰）   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/02/05 Raman mapping of hexagonal hillocks in N-polar GaN grown on c-plane sapphire 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017 作者:  Jiang, Teng;  Lin, Zhiyu;  Zhang, Jincheng;  Xu, Shengrui;  Huang, Jun（黄俊）   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/02/06 Effects of thickneb on optical characteristics and strain distribution of thin-film GaN light-emitting diodes transferred to Si substrates 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4 作者:  Li, H;  Shi, YD;  Feng, MX(冯美鑫);  Sun, Q(孙钱);  Lu, TC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of growth temperature on intrinsic stress distribution in aluminum nitride grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 4 作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Yang, MM;  Su, XJ(苏旭军) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Stress Induced Microstructure Evolution of AlN: Er Film at Different Annealing Temperature 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 卷号: 31, 期号: 3 作者:  Yang, MM(阳明明);  Mo, YJ;  Wang, XD;  Zeng, XH(曾雄辉);  Liu, XH(刘雪华) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 Spatial distribution of crystalline quality in N-type GaN grown on patterned sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 6 作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 AlN thin film grown on different substrates by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436 作者:  Sun, MS(孙茂松);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Fabrication of crack-free AlN film on sapphire by hydride vapor phase epitaxy using an in situ etching method 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4 作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Su, XJ(苏旭军);  Huang, J(黄俊);  Zheng, SN(郑树楠) 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2017/03/11 Quasi-transverse optical phonon mode in self-generated semipolar AlN grains embedded in c-oriented AlN matrix grown on sapphire using hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 20 作者:  Hu, YY(胡匀匀);  Zhou, TF(周桃飞);  Zheng, SN(郑树楠);  Liu, XH(刘雪华);  Zhao, JJ 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2017/03/11