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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 SiC power MOSFET with monolithically integrated Schottky barrier diode for improved switching performances 会议论文  OAI收割 Nuremberg, Germany, 2017-05-16 作者:  Dai, Xiaoping;  Jiang, Huaping;  Zheng, Changwei;  Ke, Maolong   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/03/07 InGaAs-MSM photodetector with low dark current 期刊论文  OAI收割 guangzi xuebao/acta photonica sinica, 2015, 卷号: 44, 期号: 6 作者:  Yan, Xin;  Wang, Tao;  Yin, Fei;  Ni, Hai-Qiao;  Niu, Zhi-Chuan 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/02 大面积InGaAs-MSM光电探测器研制及其暗电流特性分析 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者:  闫欣 收藏  |  浏览/下载：157/0  |  提交时间：2015/05/20 红外探测器  InGaAs  MSM  MOCVD  暗电流   High speed data channel including a CMOS vcsel driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver 专利  OAI收割 专利号: IN224512B, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-12-05 作者:  BOZSO, FERENC, M;  EMMA, PHILIP, G   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 High speed data channel including a CMOS vcsel driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver 专利  OAI收割 专利号: SG111871A1, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2005-06-29 作者:  BOZSO, FERENC, M.;  EMMA, PHILIP, G.   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18 Optoelectronic integrated circuit 专利  OAI收割 专利号: US5003359, 申请日期: 1991-03-26, 公开日期: 1991-03-26 作者:  ABELES, JOSEPH H.   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor light emitting device and usage thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1990256287A, 申请日期: 1990-10-17, 公开日期: 1990-10-17 作者:  KURUMADA KATSUHIKO;  SEKI SHUNJI;  TSUZUKI NOBUYORI;  TAMAMURA TOSHIAKI;  NAKANO JUNICHI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Gain waveguide type semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989289290A, 申请日期: 1989-11-21, 公开日期: 1989-11-21 作者:  TERAISHI KATSUHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser element and its manufacture 专利  OAI收割 专利号: JP1989173685A, 申请日期: 1989-07-10, 公开日期: 1989-07-10 作者:  EGUCHI KAZUHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1987079688A, 申请日期: 1987-04-13, 公开日期: 1987-04-13 作者:  NISHIKAWA YASUMI;  FUJIWARA KENZO   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18