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半导体研究所 [1001]
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内容类型
期刊论文 [923]
会议论文 [78]
发表日期
2016 [9]
2013 [40]
2012 [24]
2011 [121]
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2009 [121]
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专题:半导体研究所
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Photocatalytic Water Oxidation Directly Using Plasmonics from Single Au Nanowires without the Contact with Semiconductors
期刊论文
OAI收割
ACS CATALYSIS, 2021, 卷号: 11, 期号: 21, 页码: 12940-12946
作者:
Qian, Yuanyuan
;
Tan, Furui
;
Liu, Jun
;
Li, Qicong
;
Ren, Kuankuan
;
Huang, Yanbin
;
Li, Xiaobao
;
Cao, Dawei
;
Liu, Kong
;
Zhao, Chao
;
Li, Yongxin
;
Wang, Zhijie
;
Qu, Shengchun
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提交时间:2022/03/28
Nonradiative Carrier Recombination Enhanced by Vacancy Defects in Ionic II-VI Semiconductors
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2021, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 64025
作者:
Guo, Dan
;
Qiu, Chen
;
Yang, Kaike
;
Deng, Hui-Xiong
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提交时间:2022/05/19
Origin of abnormal thermal conductivity in group III-V boron compound semiconductors
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70, 期号: 14, 页码: 147302
作者:
Shi Heng-Xian
;
Yang Kai-Ke
;
Luo Jun-Wei
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提交时间:2022/05/19
A facile and non-destructive quartz fiber shadow mask process for the sub-micrometer device fabrication on two-dimensional semiconductors
期刊论文
OAI收割
RARE METALS, 2021, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 319-324
作者:
Li, Li-An
;
Zhao, Fang-Yuan
;
Zhai, Shen-Qiang
;
Liu, Feng-Qi
;
Wei, Zhong-Ming
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提交时间:2022/05/19
Polarized photodetectors based on two-dimensional semiconductors
期刊论文
OAI收割
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2020, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 237331
作者:
Kai Zhao, ZhongMing Wei ,XiangWei Jiang
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提交时间:2021/11/30
The influence of MBE and device structure on the electrical properties of GaAs HEMT biosensors
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2018, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 124007
作者:
Luo Jiaming
;
Guan Min
;
Zhang Yang
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提交时间:2019/11/15
Unified theory of direct or indirect band-gap nature of conventional semiconductors
期刊论文
OAI收割
Physical Review B, 2018, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 245203
作者:
Lin-Ding Yuan
;
Hui-Xiong Deng
;
Shu-Shen Li
;
Su-Huai Wei
;
Jun-Wei Luo
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提交时间:2019/11/12
Tuning transport performance in two-dimensional metal-organic framework semiconductors: Role of the metal d band
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 1, 页码: 012101
作者:
Liang-Po Tang
;
Li-Ming Tang
;
Hua Geng
;
Yuan-Ping Yi
;
Zhongming Wei
;
Ke-Qiu Chen
;
Hui-Xiong Deng
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提交时间:2019/11/15
Comment on “Fundamental Resolution of Difficulties in the Theory of Charged Point Defects in Semiconductors”
期刊论文
OAI收割
Physical Review Letters, 2018, 卷号: 120, 期号: 3, 页码: 039601
作者:
Hui-Xiong Deng;Su-Huai Wei
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提交时间:2019/11/18
Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 10, 页码: 105304
Y. F. Lao
;
A. G. U. Perera
;
H. L. Wang
;
J. H. Zhao
;
Y. J. Jin
;
D. H. Zhang
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提交时间:2017/03/10