中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
2002 [2]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [1]
更多
学科主题
半导体材料 [7]
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs(001) substrate
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:73/0
  |  
提交时间:2010/08/12
RELAXATION
SI
HETEROSTRUCTURES
KINETICS
Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
ELECTRONIC-STRUCTURE
PHOTOLUMINESCENCE
INTERDIFFUSION
TRANSITIONS
SPECTRA
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者:
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
SHAPE TRANSITION
PHOTOLUMINESCENCE
FABRICATION
DEPOSITION
WIRES
SITU
Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Yoon SF
;
Zheng HQ
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2010/08/12
annealing
InGaAs/GaAs
quantum wells
interdiffusion
quantum dots
MBE
DOT SUPERLATTICE
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 556-559
Liu JP
;
Kong MY
;
Liu XF
;
Li JP
;
Huang DD
;
Li LX
;
Sun DZ
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2010/08/12
strain relaxation
Si SiGe
interdiffusion
morphological evolution
QUANTUM DOTS
RELAXATION
INAS
STRANSKI-KRASTANOW GROWTH
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
OAI收割
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
annealing
InAs/GaAs
quantum dots
BOX ISLANDS
GAAS
INTERDIFFUSION
GAAS(100)
GROWTH
THRESHOLD
INGAAS
STRAIN
SCALE
OPTICAL-PROPERTIES