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筒体转运机构 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN107214730A, 申请日期: 2017-09-29,
作者:  杨圣落;  张安申;  张安占;  王清运;  薛全兴
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/10/19
埋込み構造半導体レ-ザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995010019B2, 申请日期: 1995-02-01, 公开日期: 1995-02-01
作者:  近藤 康洋;  板屋 義夫;  今村 義宏;  大石 護
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Method of controlling dopant incorporation in high resistivity In-based compound Group III-V epitaxial layers 专利  OAI收割
专利号: US4999315, 申请日期: 1991-03-12, 公开日期: 1991-03-12
作者:  JOHNSTON, JR., WILBUR D.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.;  LONG, JUDITH A.;  WILT, DANIEL P.
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor devices employing high resistivity in-based compound group III-IV epitaxial layer for current confinement 专利  OAI收割
专利号: US4888624, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:  JOHNSTON, JR., WILBUR D.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.;  LONG, JUDITH A.;  WILT, DANIEL P.
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26
Mass transport process for manufacturing semiconductor devices 专利  OAI收割
专利号: GB2162544A, 申请日期: 1986-02-05, 公开日期: 1986-02-05
作者:  PETER, DAVID, GREENE;  DANIEL, SEGISMUNDO, OTTO, RENNER
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31
GaInAsP/InP Double-heterostructure lasers 专利  OAI收割
专利号: US4468850, 申请日期: 1984-09-04, 公开日期: 1984-09-04
作者:  LIAU, ZONG-LONG;  WALPOLE, JAMES N.
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Multilayer semiconductor structure 专利  OAI收割
专利号: GB1131153A, 申请日期: 1968-10-23, 公开日期: 1968-10-23
作者:  ZANOWICK, RICHARD, LOUIS;  COKER, JESSE, EDWARD;  MORRITZ, FRED, LEONARD
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/24
Maskless lateral epitaxial overgrowth of aluminum nitride and high aluminum composition aluminum gallium nitride 专利  OAI收割
专利号: WO2005041269A3, 公开日期: 2006-03-30
作者:  KATONA THOMAS M;  KELLER STACIA;  ALEJANDRO PABLO CANTU
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