机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• iSwitch采集 [3]
• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2008 [2]
• 2004 [2]
• 2003 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Investigation of native defects and property of bulk zno single crystal grown by a closed chemical vapor transport method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645 作者:  Wei, Xuecheng;  Zhao, Youwen;  Dong, Zhiyuan;  Li, Jinmin 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Defects  X-ray diffraction  Growth from vapor  Oxides  Semiconducting ii-vi materials   Investigation of native defects and property of bulk ZnO single crystal grown by a closed chemical vapor transport method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645 Wei, XC; Zhao, YW; Dong, ZY; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/08 defects  X-ray diffraction  growth from vapor  oxides  semiconducting II-VI materials   Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped gasb 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters a, 2004, 卷号: 332, 期号: 3-4, 页码: 286-290 作者:  Hu, WG;  Wang, Z;  Su, BF;  Dai, YQ;  Wang, SJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Gasb  Coincidence doppler broadening  Positron annihilation  Defect   Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped GaSb 期刊论文  OAI收割 physics letters a, 2004, 卷号: 332, 期号: 3-4, 页码: 286-290 Hu WG; Wang Z; Su BF; Dai YQ; Wang SJ; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：175/66  |  提交时间：2010/03/09 GaSb   Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in inp 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 Deng AH; Mascher P; Zhao YW; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 UNDOPED SEMIINSULATING INP  LOW FE CONTENT  POSITRON-LIFETIME  PHASE EPITAXY  PRESSURE  VACANCY  INDIUM  ANNIHILATION  PHOSPHIDE  WAFERS