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• 半导体研究所 [23]

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学科主题

• 半导体物理 [23]

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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 109, 109, 期号: 7, 页码: article no.74313, Article no.74313 作者:  Zhang XW;  Li JB;  Chang K;  Li SS;  Xia JB   |  收藏  |  浏览/下载：61/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  QUANTUM WIRES  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  FIELD  GAMNN  Molecular-beam Epitaxy  Room-temperature  Quantum Wires  Semiconductors  Ferromagnetism  Field  Gamnn   Easy axis reorientation and magneto-crystalline anisotropic resistance of tensile strained (Ga,Mn)As films 期刊论文  OAI收割 journal of magnetism and magnetic materials, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2010, 2010, 卷号: 322, 322, 期号: 21, 页码: 3250-3254, 3250-3254 作者:  Chen L (Chen L.);  Yan S (Yan S.);  Xu PF (Xu P. F.);  Lu J (Lu J.);  Deng JJ (Deng J. J.)   |  收藏  |  浏览/下载：90/4  |  提交时间：2010/09/07 Magnetic semiconductor  Magnetic Semiconductor  Magnetic Anisotropy  Magneto-transport Phenomenon  Molecular-beam Epitaxy  Magnetic anisotropy  Magneto-transport phenomenon  Molecular-beam epitaxy   Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文  OAI收割 acta materialia, ACTA MATERIALIA, 2010, 2010, 卷号: 58, 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971, 1963-1971 作者:  Wang ZG;  Li JB;  Gao F;  Weber WJ;  Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China, Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn   |  收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2010/04/22 Twinning  Twinning  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular Dynamics  Chemical-vapor-deposition  Ab-initio Calculations  Beta-sic Nanowires  Low-temperature  Thin-films  Simulation  Elasticity  Nanotubes  Polytypes  Growth  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular dynamics  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AB-INITIO CALCULATIONS  BETA-SIC NANOWIRES  LOW-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SIMULATION  ELASTICITY  NANOTUBES  POLYTYPES  GROWTH   Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903 Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  FILMS  MISFIT   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Chiral symmetry analysis and rigid rotational invariance for the lattice dynamics of single-wall carbon nanotubes 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 23, 页码: art.no.235434 Jiang JW (Jiang Jin-Wu); Tang H (Tang Hui); Wang BS (Wang Bing-Shen); Su ZB (Su Zhao-Bin) 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 GROUP-PROJECTOR TECHNIQUE  MODES   Correlation effects for semiconducting single-wall carbon nanotubes: A density matrix renormalization group study 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 23, 页码: art.no.233409 Ye F; Wang BS; Lou JZ; Su ZB 收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2010/04/11 COULOMB INTERACTIONS  GAP   The fabrication of self-aligned InAs nanostructures on GaAs(331)A substrates 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 29-35 Gong Z; Fang ZD; Xu XH; Miao ZH; Ni HQ; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：147/48  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文  OAI收割 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003 Ying-Qiang X; Zhang W; Niu ZC; Wu RG; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：16/1  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  SiO2 encapsulation  rapid-thermal-annealing  nitrogen reorganization  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  MU-M   Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553 Munoz M; Huang YS; Pollak FH; Yang H 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HEXAGONAL GAN  TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  TRANSITIONS  GROWTH  GAIN  ALN  ELLIPSOMETRY  WURTZITE