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• 半导体研究所 [28]

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• OAI收割 [28]

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• 会议论文 [3]

发表日期

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学科主题

• 半导体材料 [28]

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浏览/检索结果: 共28条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文  OAI收割 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：57/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   Optical properties of InAsSb nanostructures embedded in InGaAsSb strain reducing layer 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 869-873 作者:  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：31/1  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM DOTS  LIGHT-EMISSION  WELLS  PHOTOLUMINESCENCE   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割 thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230 作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium Arsenide  Gallium Antimonide  Gallium Antimonide/aluminum Antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  Vapor-phase Epitaxy  Surface-morphology  Growth  Superlattices  Temperature  Relaxation  Detectors  Gaas(001)  Mocvd  Films  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE   Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7462-7466 Hu, WG; Liu, XL; Jiao, CM; Wei, HY; Kang, TT; Zhang, PF; Zhang, RQ; Fan, HB; Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：54/4  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  THIN-FILMS  ALUMINUM NITRIDE  INTRINSIC STRESS  GAN  SAPPHIRE  AIN  DEPOSITION  STRAIN   Al2O3 : Cr3+ nanotubes synthesized via homogenization precipitation followed by heat treatment 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry b, 2006, 卷号: 110, 期号: 32, 页码: 15749-15754 Cheng BC (Cheng Baochang); Qu SC (Qu Shengchun); Zhou HY (Zhou Huiying); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 GALLIUM NITRIDE NANOTUBES  SINGLE-CRYSTALLINE  ALUMINA NANOTUBES  ALPHA-AL2O3 NANOWIRES  OXIDE NANOTUBES  ROUTE  FILMS  NANOSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE