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机构
上海微系统与信息技术... [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2012 [3]
2011 [1]
2010 [1]
2007 [1]
学科主题
Physics [4]
Applied [1]
Engineerin... [1]
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共6条,第1-6条
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201
Zhang, X
;
Liu, B
;
Peng, C
;
Rao, F
;
Zhou, XL
;
Song, SN
;
Wang, LY
;
Cheng, Y
;
Wu, LC
;
Yao, DN
;
Song, ZT
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2013/04/17
Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201
Zhang, X
;
Liu, B(重点实验室)
;
Peng, C
;
Rao, F
;
Zhou, XL
;
Song, SN
;
Wang, LY
;
Cheng, Y
;
Wu, LC
;
Yao, DN
;
song, zt(重点实验室)
;
Feng, SL(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 107201
Zhang, X
;
Liu, B(重点实验室)
;
Peng, C
;
Rao, F
;
Zhou, XL
;
Song, SN
;
Wang, LY
;
Cheng, Y
;
Wu, LC
;
Yao, DN
;
song, zt(重点实验室)
;
Feng, SL(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Pb(Zr
0.52
Ti
0.48
)O
3
memory capacitor on Si with a polycrystalline silicon/SiO
2
stacked buffer layer
期刊论文
OAI收割
Journal of Semiconductors., 2011, 卷号: 32, 期号: 9
Cai, Daolin
;
Li, Ping
;
Zhai, Yahong
;
Song, ZT
;
Chen, HP
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  |  
提交时间:2012/08/28
Performance improvement of phase change memory cell by using a cerium dioxide buffer layer
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 96, 期号: 20, 页码: 203504-203504
Shang, F
;
Zhai, JW
;
Song, S
;
Song, ZT
;
Wang, CZ
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  |  
浏览/下载:66/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
THIN-FILMS
CONDUCTIVITY
TECHNOLOGY
STORAGE
Structural and electrical properties of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor transistors using a Pt/Bi3.25Nd0.75Ti3O12/Y2O3/Si structure
期刊论文
OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 371-375
Tang, MH
;
Zhou, YC
;
Zheng, XJ
;
Yan, Z
;
Cheng, CP
;
Ye, Z
;
Hu, ZS
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
MEMORY WINDOW
BUFFER LAYERS
POLARIZATION
DEPOSITION
SI
RETENTION