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• 半导体研究所 [252]

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发表日期

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浏览/检索结果: 共252条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Geometric wavefront dislocations of RKKY interaction in grapheneGeometric wavefront dislocations of RKKY interaction in graphene 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2021, 卷号: 104, 期号: 24, 页码: 245405 作者:  Zhang, Shu-Hui;   Yang, Jin;   Shao, Ding-Fu;   Yang, Wen;   Chang, Kai   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2022/03/23 Acceptor Decoration of Threading Dislocations in ( Al , Ga ) N / Ga N Heterostructures 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 024039 作者:  Rong Wang;   Xiaodong Tong;   Jianxing Xu;   Chenglong Dong;   Zhe Cheng;   Lian Zhang;   Shiyong Zhang;   Penghui Zheng;   Feng-Xiang Chen;   Yun Zhang;   Wei Tan   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/06/22 Improvement of thermal stability of InGaN/GaN multiple-quantum-well by reducing the density of threading dislocations 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS, 2018, 卷号: 85, 页码: 14-17 作者:  J. Yang ;   D.G. Zhao;   D.S. Jiang ;   S.T. Liu ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   M. Li   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/11/19 Strain Field Mapping of Dislocations in a Ge/Si Heterostructure 期刊论文  OAI收割 plos one, 2013, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: e62672 Liu, Quanlong; Zhao, Chunwang; Su, Shaojian; Li, Jijun; Xing, Yongming; Cheng, Buwen 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/08/27 Strain Field Mapping of Dislocations in a GeSi Heterostructure 期刊论文  OAI收割 plos one, PLOS ONE, 2013, 2013, 卷号: 8, 8, 期号: 4 作者:  Quanlong Liu , Chunwang Zhao ,Shaojian Su , Jijun Li , Yongming Xing , Buwen Cheng   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/04 Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: 082101 Liu, Guipeng; Wu, Ju; Zhao, Guijuan; Liu, Shuman; Mao, Wei; Hao, Yue; Liu, Changbo; Yang, Shaoyan; Liu, Xianglin; Zhu, Qinsheng; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/05/07 Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: 82101 Liu, GP; Wu, J; Zhao, GJ; Liu, SM; Mao, W; Hao, Y; Liu, CB; Yang, SY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/17 Quantitative strain analysis of misfit dislocations in a Ge/Si heterostructure interface by geometric phase analysis 期刊论文  OAI收割 optics and lasers in engineering, 2012, 卷号: 50, 期号: 5, 页码: 796-799 Liu, QL; Zhao, CW; Xing, YM; Su, SJ; Cheng, BW 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/03/17 Gaas-based long-wavelength inas quantum dots on multi-step-graded ingaas metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 5 作者:  He Ji-Fang;  Wang Hai-Li;  Shang Xiang-Jun;  Li Mi-Feng;  Zhu Yan 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12