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Enhanced performance active pixel array and epitaxial growth method for achieving the same 专利  OAI收割
专利号: US9660135, 申请日期: 2017-05-23, 公开日期: 2017-05-23
作者:  EL-GHOROURY, HUSSEIN S.;  HASKELL, BENJAMIN A.
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一种半导体结构及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: US9276085, 申请日期: 2016-03-01, 公开日期: 2013-09-26
作者:  殷华湘;  马小龙;  秦长亮;  徐秋霞;  陈大鹏
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/06/13
Two-dimensional photonic crystal laser 专利  OAI收割
专利号: US9130348, 申请日期: 2015-09-08, 公开日期: 2015-09-08
作者:  NODA, SUSUMU;  SAKAGUCHI, TAKUI;  NAGASE, KAZUYA;  KUNISHI, WATARU;  MIYAI, EIJI
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26
Epitaxial growth of in-plane nanowires and nanowire devices 专利  OAI收割
专利号: US8785226, 申请日期: 2014-07-22, 公开日期: 2014-07-22
作者:  LEE, SEUNG CHANG;  BRUECK, STEVEN R. J.
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Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利  OAI收割
专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
作者:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS
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High performance ZnO-based laser diodes 专利  OAI收割
专利号: US8306083, 申请日期: 2012-11-06, 公开日期: 2012-11-06
作者:  LIU, JIANLIN;  CHU, SHENG
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/23
Atomic hydrogen as a surfactant in production of highly strained InGaAs, InGaAsN, InGaAsNSb, and/or GaAsNSb quantum wells 专利  OAI收割
专利号: US20040033637A1, 申请日期: 2004-02-19, 公开日期: 2004-02-19
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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Method and apparatus for producing group-III nitrides 专利  OAI收割
专利号: US20010006845A1, 申请日期: 2001-07-05, 公开日期: 2001-07-05
作者:  KRYLIOUK, OLGA
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Wafer bonded vertical cavity surface emitting lasers 专利  OAI收割
专利号: GB2347559A, 申请日期: 2000-09-06, 公开日期: 2000-09-06
作者:  RICHARD, P, SCHNEIDER, JR;  FRED, A, KISH, JR
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Semiconductor device structures incorporating "buried" mirrors and/or "buried" metal electrodes and a process for their fabrication 专利  OAI收割
专利号: US6111276, 申请日期: 2000-08-29, 公开日期: 2000-08-29
作者:  MAUK, MICHAEL G.
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