机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2002 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [1]
• 1992 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [6]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Cluster scattering in two-dimensional electron gas investigated by Born approximation and partial-wave methods 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 543-546 Li ZW; Xu XQ; Wang J; Liu JM; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：67/8  |  提交时间：2011/07/05 IONIZED-IMPURITY-SCATTERING  COMPOSITIONAL INHOMOGENEITY  PHASE-SEPARATION  QUANTUM-WELLS  ALLOY  CATHODOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT  MOBILITY   Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN   Kinetic study of MOCVD III-V quaternary antimonides 期刊论文  OAI收割 rare metals, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 16-20 Peng RW; Wei GY; Wu W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 kinetic study  MOCVD  III-V  quaternary antimonide  photodetector  EPITAXIAL-GROWTH   Growth and characterization of GaN on LiGaO2 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 195, 期号: 1-4, 页码: 304-308 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 MOVPE  GaN  substrate  DIODES   GROWTH OF GASB AND GAASSB IN THE SINGLE-PHASE REGION BY MOVPE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1992, 卷号: 124, 期号: 0, 页码: 383-388 LU DC; LIU XL; WANG D; LIN LY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/15 GALLIUM ANTIMONIDE  OMVPE  GAAS1-XSBX  MOCVD