机构

• 半导体研究所 [13]

采集方式

• OAI收割 [10]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [13]

发表日期

• 2011 [3]
• 2010 [1]
• 2006 [1]
• 2002 [5]
• 1999 [1]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [6]
• 半导体物理 [3]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Origin of the low thermal conductivity of the thermoelectric material beta-zn4sb3: an ab initio theoretical study 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 3 作者:  Chen, Weibing;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Origin of the low thermal conductivity of the thermoelectric material beta-Zn(4)Sb(3): An ab initio theoretical study 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 98, 98, 期号: 24, 页码: 241901, 241901 作者:  Chen, WB   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 PHONON-GLASS  INTERSTITIAL ZN  ZN4SB3  ENERGY  ZINC  Phonon-glass  Interstitial Zn  Zn4sb3  Energy  Zinc   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride   Cluster scattering in two-dimensional electron gas investigated by Born approximation and partial-wave methods 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 543-546 Li ZW; Xu XQ; Wang J; Liu JM; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：67/8  |  提交时间：2011/07/05 IONIZED-IMPURITY-SCATTERING  COMPOSITIONAL INHOMOGENEITY  PHASE-SEPARATION  QUANTUM-WELLS  ALLOY  CATHODOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT  MOBILITY   Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Djurisic AB (Djurisic A. B.); Beling CD (Beling C. D.); Cheung CK (Cheung C. K.); Cheung CH (Cheung C. H.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  N-TYPE GAN  ELECTRICAL-PROPERTIES  BIAS LEAKAGE  DIODES  OXYGEN   A partially incoherent rate theory of long-range charge transfer in deoxyribose nucleic acid 期刊论文  iSwitch采集 Journal of chemical physics, 2002, 卷号: 117, 期号: 9, 页码: 4578-4584 作者:  Zhang, HY;  Li, XQ;  Han, P;  Yu, XY;  Yan, YJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Interplay between partial incoherence, partial inelasticity, resonance, and heterogeneity in long-range electron transfer and transport 期刊论文  iSwitch采集 Journal of chemical physics, 2002, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 2180-2186 作者:  Yu, XY;  Zhang, HY;  Han, P;  Li, XQ;  Yan, YJ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 A partially incoherent rate theory of long-range charge transfer in deoxyribose nucleic acid 期刊论文  OAI收割 journal of chemical physics, 2002, 卷号: 117, 期号: 9, 页码: 4578-4584 Zhang HY; Li XQ; Han P; Yu XY; Yan YJ 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRON-TRANSFER  MOLECULAR WIRES  DNA  MIGRATION  TRANSPORT  COHERENT  SUPEREXCHANGE  CONDUCTION  KINETICS  DYNAMICS   Interplay between partial incoherence, partial inelasticity, resonance, and heterogeneity in long-range electron transfer and transport 期刊论文  OAI收割 journal of chemical physics, 2002, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 2180-2186 Yu XY; Zhang HY; Han P; Li XQ; Yan YJ 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 BRIDGED MOLECULAR-SYSTEMS  CHARGE-TRANSFER  TRANSFER RATES  BIOLOGICAL MOLECULES  HOLE MIGRATION  DNA  MECHANISM  COHERENT  SUPEREXCHANGE  SCATTERERS   Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN