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专题:半导体研究所
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高密度1.3微米波段GaAs基、Si基InAs GaAs量子点激光器研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
郝慧明
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提交时间:2022/07/15
面向III V Si多结太阳能电池的关键工艺研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
赵永强
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提交时间:2022/07/25
基于键合工艺的Si/SiC界面特性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
王风旋
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提交时间:2022/07/25
大晶格失配和异价的Si与III-V族半导体带阶的直接计算
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
胡玉莹
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提交时间:2021/11/26
直接 Si 掺杂 InAsGaAs 量子点激光器线宽增强因子研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
邱雅琪
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提交时间:2021/06/21
6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
徐健凯
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提交时间:2021/06/22
A Novel High-Q Dual-Mass MEMS Tuning Fork Gyroscope Based on 3D Wafer-Level Packaging
期刊论文
OAI收割
SENSORS, 2021, 卷号: 21, 期号: 19, 页码: 6428
作者:
Xu, Pengfei
;
Si, Chaowei
;
He, Yurong
;
Wei, Zhenyu
;
Jia, Lu
;
Han, Guowei
;
Ning, Jin
;
Yang, Fuhua
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提交时间:2022/05/09
ZRO Drift Reduction of MEMS Gyroscopes via Internal and Packaging Stress Release
期刊论文
OAI收割
MICROMACHINES, 2021, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 1329
作者:
Xu, Pengfei
;
Wei, Zhenyu
;
Jia, Lu
;
Zhao, Yongmei
;
Han, Guowei
;
Si, Chaowei
;
Ning, Jin
;
Yang, Fuhua
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提交时间:2022/03/28
Effect of nitrogen gas flow and growth temperature on extension of GaN layer on Si*
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 11, 页码: 118101
作者:
Xu, Jian-Kai
;
Jiang, Li-Juan
;
Wang, Qian
;
Wang, Quan
;
Xiao, Hong-Ling
;
Feng, Chun
;
Li, Wei
;
Wang, Xiao-Liang
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提交时间:2022/03/23
Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 卷号: 570, 页码: 126245
作者:
Yang, J.
;
Zhang, Y. H.
;
Zhao, D. G.
;
Chen, P.
;
Liu, Z. S.
;
Liang, F.
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提交时间:2022/05/19