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  • 半导体研究所 [2172]
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高密度1.3微米波段GaAs基、Si基InAs GaAs量子点激光器研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  
郝慧明
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2022/07/15
面向III V Si多结太阳能电池的关键工艺研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  
赵永强
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2022/07/25
基于键合工艺的Si/SiC界面特性研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  
王风旋
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2022/07/25
大晶格失配和异价的Si与III-V族半导体带阶的直接计算 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  
胡玉莹
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2021/11/26
直接 Si 掺杂 InAsGaAs 量子点激光器线宽增强因子研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  
邱雅琪
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2021/06/21
6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  
徐健凯
  |  收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2021/06/22
A Novel High-Q Dual-Mass MEMS Tuning Fork Gyroscope Based on 3D Wafer-Level Packaging 期刊论文  OAI收割
SENSORS, 2021, 卷号: 21, 期号: 19, 页码: 6428
作者:  
Xu, Pengfei;   Si, Chaowei;   He, Yurong;   Wei, Zhenyu;   Jia, Lu;   Han, Guowei;   Ning, Jin;   Yang, Fuhua
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2022/05/09
ZRO Drift Reduction of MEMS Gyroscopes via Internal and Packaging Stress Release 期刊论文  OAI收割
MICROMACHINES, 2021, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 1329
作者:  
Xu, Pengfei;   Wei, Zhenyu;   Jia, Lu;   Zhao, Yongmei;   Han, Guowei;   Si, Chaowei;   Ning, Jin;   Yang, Fuhua
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2022/03/28
Effect of nitrogen gas flow and growth temperature on extension of GaN layer on Si* 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 11, 页码: 118101
作者:  
Xu, Jian-Kai;   Jiang, Li-Juan;   Wang, Qian;   Wang, Quan;   Xiao, Hong-Ling;   Feng, Chun;   Li, Wei;   Wang, Xiao-Liang
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2022/03/23
Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 卷号: 570, 页码: 126245
作者:  
Yang, J.;   Zhang, Y. H.;   Zhao, D. G.;   Chen, P.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2022/05/19