机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 1998 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [9]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 44, 44, 期号: 33, 页码: 335102, 335102 作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE  1.3 Mu-m  Strain Relief  Lasers  Substrate  Photoluminescence  Dislocations  Operation  Range   Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction   Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111 Xu, XQ; Liu, XL; Han, XX; Yuan, HR; Wang, J; Guo, Y; Song, HP; Zheng, GL; Wei, HY; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  dislocation density  electron mobility  gallium compounds  III-V semiconductors  interface roughness  semiconductor heterojunctions  two-dimensional electron gas  wide band gap semiconductors   Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE  SILICON  SEMICONDUCTORS  DISLOCATIONS  SPECTRA   Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：250/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY   Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100) 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  COHERENT ISLANDS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   New method for the growth of highly uniform quantum dots 会议论文  OAI收割 2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN   BAND DISPERSION IN THE RECURSION METHOD 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 15, 页码: 12464-12469 WANG YL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTORS  SILICON  DISLOCATIONS  ENVIRONMENT  DEFECTS  STATES   INFLUENCES OF ALLOY DISORDER AND INTERFACE ROUGHNESS ON OPTICAL-SPECTRA OF INGAAS/GAAS STRAINED-LAYER QUANTUM-WELLS 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 458-465 XU QA; XU ZY; ZHENG BZ; XU JZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 EPITAXIAL MULTILAYERS  DEFECTS  SUPERLATTICES  DISLOCATIONS  DEPENDENCE  THICKNESS