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半导体研究所 [94]
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OAI收割 [94]
内容类型
期刊论文 [88]
会议论文 [6]
发表日期
2017 [2]
2013 [1]
2012 [4]
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2009 [3]
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学科主题
半导体材料 [94]
半导体物理 [1]
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共94条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method
期刊论文
OAI收割
中国物理B, 2017, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 068102
杨冠卿
;
张世著
;
徐波
;
陈涌海
;
王占国
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提交时间:2017/05/23
量子点
光致荧光
反常温度效应
激活能
Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901
作者:
X. L. Zeng
;
J. L. Yu
;
S. Y. Cheng
;
Y. F. Lai, Y. H. Chen
;
W. Huang
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/05/23
Anomalous temperature dependence of near-infrared photoluminescence band in neutron-irradiated alpha-Al2O3
期刊论文
OAI收割
physica status solidi a-applications and materials science, 2014, 卷号: 211, 期号: 7, 页码: 1535-1538
Rahman, AMS
;
Wei, L
;
Yang, T
;
Xu, Q
;
Atobe, K
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提交时间:2015/03/25
Temperature dependence of anisotropic mode splitting induced by birefringence in an InGaAs/GaAs/AlGaAs vertical-cavity surface-emitting laser studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
OAI收割
applied optics, 2013, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 1035-1040
Yu, Jinling
;
Chen, Yonghai
;
Cheng, Shuying
;
Lai, Yunfeng
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提交时间:2013/09/22
Temperature dependence of circular photogalvanic effect in GaAs/Al 0.3Ga0.7As two-dimensional electron system
期刊论文
OAI收割
journal of physics: conference series, 2012, 卷号: 400, 期号: part 4, 页码: 042041
Ma, Hui
;
Jiang, Chongyun
;
Liu, Yu
;
Yu, Jinling
;
Chen, Yonghai
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提交时间:2013/04/19
Wetting layer evolution and its temperature dependence during self-assembly of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7
Zhang, Hongyi
;
Chen, Yonghai
;
Zhou, Guanyu
;
Tang, Chenguang
;
Wang, Zhanguo
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提交时间:2013/05/07
Fabrication and temperature dependence of a GaInP/GaAs/Ge tandem solar cell
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 024006
Cui, Min
;
Chen, Nuofu
;
Yang, Xiaoli
;
Zhang, Han
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/04/19
Wetting layer evolution and its temperature dependence during self-assembly of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 600
Zhang HY (Zhang, Hongyi)
;
Chen YH (Chen, Yonghai)
;
Zhou GY (Zhou, Guanyu)
;
Tang CG (Tang, Chenguang)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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提交时间:2013/03/26
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201
作者:
Cao YL
;
Yang T
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提交时间:2011/07/05
WELL LASERS
DEPENDENCE
DIODE
GAIN