机构

• 微电子研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 外文期刊 [10]

发表日期

• 2010 [5]
• 2009 [4]
• 2008 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A metal/Al2O3/ZrO2/SiO2/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Zhang, MH;  Liu, M;  Long, SB;  Wang, Q;  Liu, J   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Floating-gate  Layer  Devices   Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Liu, Q;  Wang, Y;  Liu, M;  Yang, JH;  Zuo, QY   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Rram   Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Liu, M;  Liu, S;  Liu, Q;  Zhang, MH;  Long, SB   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Zro2   Titanium-tungsten nanocrystals embedded in a SiO2/Al2O3 gate dielectric stack for low-voltage operation in non-volatile memory 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Liu, M;  Long, SB;  Zhang, MH;  Wang, Q;  Yang, SQ   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Zuo, QY;  Shao, LB;  Wang, Q   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Nonvolatile Memory  Diode  Antifuse  Device  Al2o3   Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, M;  Li, YT;  Zhang, S;  Liu, Q;  Long, SB   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Diodes  Films  Dependence  Resistance  Density  Zro2  Sio2   Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, M;  Zhang, S;  Guan, WH;  Liu, Q   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory Applications  Oxide-films  Resistance   Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted Ti Ions 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Zuo, QY;  Liu, Q;  Long, SB;  Wang, W;  Zhang, S   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Doped Zro2  Low-power  Memory  Oxide   Formation of multiple conductive filaments in the Cu/ZrO2:Cu/Pt device 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Chen, JN;  Zhang, MH;  Dou, CM;  Wang, Y;  Long, SB   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory Application   Resistance switching of Au-implanted-ZrO2 film for nonvolatile memory application 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Liu, Q;  Guan, WH;  Long, SB;  Liu, M;  Zhang, S   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26