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机构
半导体研究所 [49]
采集方式
iSwitch采集 [49]
内容类型
期刊论文 [49]
发表日期
2011 [2]
2010 [4]
2009 [5]
2008 [3]
2007 [4]
2006 [4]
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共49条,第1-10条
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存缴方式:iswitch
专题:半导体研究所
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Electronic band structures and electron spins of inas/gaas quantum dots induced by wetting-layer fluctuation
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Ning, J. Q.
;
Xu, S. J.
;
Ruan, X. Z.
;
Ji, Yang
;
Zheng, H. Z.
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提交时间:2019/05/12
Localized flexible integration of high-efficiency surface enhanced raman scattering (sers) monitors into microfluidic channels
期刊论文
iSwitch采集
Lab on a chip, 2011, 卷号: 11, 期号: 19, 页码: 3347-3351
作者:
Xu, Bin-Bin
;
Ma, Zhuo-Chen
;
Wang, Lei
;
Zhang, Ran
;
Niu, Li-Gang
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提交时间:2019/05/12
Ultrafast kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in inas/gaas quantum disks
期刊论文
iSwitch采集
Physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 47, 页码: 4793-4796
作者:
Ning, J. Q.
;
Xu, S. J.
;
Wei, Z. F.
;
Ruan, X. Z.
;
Ji, Yang
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Optical kerr effect
Electron spin
Quantum disks
Inas/gaas
Growth and characterization of gasb-based type-ii inas/gasb superlattice photodiodes for mid-infrared detection
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 4
作者:
Wang Guo-Wei
;
Xu Ying-Qiang
;
Guo Jie
;
Tang Bao
;
Ren Zheng-Wei
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提交时间:2019/05/12
Spin injection in the multiple quantum-well led structure with the fe/alo (x) injector
期刊论文
iSwitch采集
Science china-physics mechanics & astronomy, 2010, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 649-653
作者:
Wu Hao
;
Zheng HouZhi
;
Liu Jian
;
Li GuiRong
;
Xu Ping
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Spintronics
Spin injection
Light emitting diode
Multiple quantum well
A study of indium incorporation in in-rich ingan grown by movpe
期刊论文
iSwitch采集
Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356
作者:
Guo, Y.
;
Liu, X. L.
;
Song, H. P.
;
Yang, A. L.
;
Xu, X. Q.
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提交时间:2019/05/12
Movpe
In-rich ingan
Indium incorporation
Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal alxga1-xas barrier layer
期刊论文
iSwitch采集
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381
作者:
Tan, X. T.
;
Zheng, H. Z.
;
Liu, J.
;
Zhu, H.
;
Xu, P.
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提交时间:2019/05/12
Hemt
2deg
Short period inas/gasb superlattice infrared detector on gaas substrates
期刊论文
iSwitch采集
Journal of infrared and millimeter waves, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-+
作者:
Guo Jie
;
Peng Zhen-Yu
;
Lu Zheng-Xiong
;
Sun Wei-Guo
;
Hao Rui-Ting
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提交时间:2019/05/12
Superlattice
Inas/gasb infrared detector
Molecular-beam epitaxy (mbe)
Spectral response
High responsivity resonant-cavity-enhanced ingaas/gaas quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature
期刊论文
iSwitch采集
Electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330
作者:
Sun, X. M.
;
Zhang, H.
;
Zhu, H.
;
Xu, P.
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提交时间:2019/05/12
Gaas based inas/gasb superlattice short wavelength infrared detectors grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 3
作者:
Tang Bao
;
Xu Ying-Qiang
;
Zhou Zhi-Qiang
;
Hao Rui-Ting
;
Wang Guo-Wei
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提交时间:2019/05/12