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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2016 [4]
学科主题
光电子学 [4]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
学科主题:光电子学
存缴方式:oaiharvest
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XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
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W. Liu
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X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
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S. T Liu
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H. Yang
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J. P. Liu
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L. Q. Zhang
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Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
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L. C. Le
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X. G. He
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W. Liu
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X. J. Li
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F. Liang
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B. S. Zhang
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H. Yang
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
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J. Yang
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W. Liu
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X. G. He
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X. J. Li
;
X. Li
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S. T. Liu
;
H. Yang
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J. P. Liu
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L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
materials technology, 2016
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. Li
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S. T. Liu
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H. Yang
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L. Q. Zhang
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J. P. Liu
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Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10