中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2006 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2006
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
会议论文
OAI收割
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Dong, ZY (Dong, Z. Y.)
;
Deng, AH (Deng, A. H.)
收藏
  |  
浏览/下载:158/28
  |  
提交时间:2010/03/29
indium phosphide
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
期刊论文
OAI收割
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
irradiation
THERMALLY STIMULATED CURRENT
UNDOPED SEMIINSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FRENKEL PAIRS
FE
SPECTROSCOPY
PHOSPHIDE
AMBIENT
TRAPS