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半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2017 [5]
学科主题
半导体材料 [5]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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限定条件
学科主题:半导体材料
发表日期:2017
条数/页:
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Efficacious engineering on charge extraction for realizing highly efficient perovskite solar cells
期刊论文
OAI收割
Energy & Environmental Science, 2017, 卷号: 10, 页码: 2570--2578
作者:
Shizhong Yue
;
Kong Liu
;
Rui Xu
;
Meicheng Li
;
Muhammad Azam
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2018/05/30
Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H–SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 107101
作者:
Zhan-Wei Shen
;
Feng Zhang
;
Sima Dimitrijev
;
Ji-Sheng Han
;
Guo-Guo Yan
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/06/15
A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended SiWafer by Conventional Chemical Vapor Deposition
期刊论文
OAI收割
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 27-31
作者:
X. F. Liu
;
z G. G. Yan
;
Z. W. Shen
;
Z. X.Wen
;
L. X. Tian
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2018/06/15
A Novel Silicon Carbide Accumulation Channel Injection Enhanced Gate Transistor With Buried Barrier Under Shielding Region
期刊论文
OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 7, 页码: 941-944
作者:
Zhengxin Wen
;
Feng Zhang
;
Member
;
IEEE
;
Zhanwei Shen
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/06/01
Low temperature one-step growth of AlON thin films with homogenous nitrogen doping profile by plasma enhanced atomic layer deposition
期刊论文
OAI收割
ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 期号: 44, 页码: 38662-38669
作者:
Hong-Yan Chen
;
Hong-Liang Lu
;
Jin-Xin Chen
;
Feng Zhang
;
Xin-Ming Ji
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/06/15