机构

• 半导体研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2016 [1]
• 2015 [1]
• 2009 [3]
• 2008 [3]
• 2007 [1]
• 2001 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [10]

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Measuring magnetic anisotropy with a rotatable ac electromagnet 期刊论文  OAI收割 measurement, 2016, 卷号: 79, 页码: 15-19 Ran Wang; Shuaihua Nie; Jianhua Zhao; Yang Ji 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/10 Manipulation of magnetization switching and tunnel magnetoresistance via temperature and voltage control 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 18269 Houfang Liu; Ran Wang; Peng Guo; Zhenchao Wen; Jiafeng Feng; Hongxiang Wei; Xiufeng Han; Yang Ji; Shufeng Zhang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/08 Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211 作者:  Wang Y;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  WAVE-GUIDE CIRCUIT  DOUBLE HETEROSTRUCTURES  SILICON SUBSTRATE  CW OPERATION  WAFER  DEVICES  FILMS   Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：161/57  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN heterostructure  Superlattices (SLs)  Root mean square roughness (RMS)  Sheet resistance   Theoretical design and performance of InxGa1-xN two-junction solar cells 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 24, 页码: art. no. 245104 Zhang, XB; Wang, XL; Xiao, HL; Yang, CB; Ran, JX; Wang, CM; Hou, QF; Li, JM; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：29/2  |  提交时间：2010/03/08 IN1-XGAXN ALLOYS  BAND-GAP  IRRADIANCE  SINGLE  INN   Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048 Zhang, ML; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：49/3  |  提交时间：2010/03/08 TRANSPORT  PROTON  HEMTS   The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 Luo, WJ; Wang, XL; Guo, LC; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Li, JP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：82/1  |  提交时间：2010/03/08 gallium nitride crack  low temperature aluminum nitride  interlayer  silicon   1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/29 AlGaN/GaN   Electroluminescence from Au/(SiO2/Si/SiO2) nanometer double barrier/p-Si structures and its mechanism 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 50, 页码: 11751-11761 Qin GG; Chen Y; Ran GZ; Zhang BR; Wang SH; Qin G; Ma ZC; Zong WH; Ren SF 收藏  |  浏览/下载：90/6  |  提交时间：2010/08/12 P-SI  PHOTOLUMINESCENCE