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机构
西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1999 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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专题:西安光学精密机械研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
存缴方式:oaiharvest
条数/页:
5
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Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
专利
OAI收割
专利号: EP0951076B1, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2006-09-20
作者:
WANG, SHIH YUAN
;
CHEN, YONG
;
CORZINE, SCOTT W.
;
KERN, R. SCOTT
;
COMAN, CARRIE CARTER
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收藏
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Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
专利
OAI收割
专利号: US6635904, 申请日期: 2003-10-21, 公开日期: 2003-10-21
作者:
GOETZ, WERNER K.
;
CAMRAS, MICHAEL D.
;
GARDNER, NATHAN F.
;
KERN, R. SCOTT
;
KIM, ANDREW Y.
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收藏
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Indium gallium nitride smoothing structures for iii-nitride devices
专利
OAI收割
专利号: US20020171091A1, 申请日期: 2002-11-21, 公开日期: 2002-11-21
作者:
GOETZ, WERNER K.
;
CAMRAS, MICHAEL D.
;
GARDNER, NATHAN F.
;
KERN, R. SCOTT
;
KIM, ANDREW Y.
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收藏
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A wafer bonded AlGaInN structure
专利
OAI收割
专利号: GB2346480A, 申请日期: 2000-08-09, 公开日期: 2000-08-09
作者:
CARRIE, CARTER-COMAN
;
R, SCOTT, KERN
;
FRED, A, KISH, JR
;
MICHAEL, R., KRAMES
;
ARTO, V., NURMIKKO
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收藏
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Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen
专利
OAI收割
专利号: DE19905516A1, 申请日期: 1999-12-09, 公开日期: 1999-12-09
作者:
CHEN CHANGHUA
;
GOETZ WERNER
;
KERN R. SCOTT
;
KUO CHIHPING
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收藏
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