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半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2007 [2]
2006 [2]
学科主题
半导体材料 [5]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1654-1656
作者:
Zhang Yang
;
Zhang Renping
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 514-517
Yao Xiaojiang
;
Li Bin
;
Chen Yanhu
;
Chen Xiaojuan
;
Wei Ke
;
Li Chengzhan
;
Luo Weijun
;
WANG Xiaoliang
;
Liu Dan
;
Liu Guoguo
;
Liu Xinyu
收藏
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浏览/下载:150/11
  |  
提交时间:2010/11/23
Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
OAI收割
microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 272-274
Luo WJ (Luo Weijun)
;
Wei K (Wei Ke)
;
Chen XJ (Chen Xiaojuan)
;
Li CZ (Li Chengzhan)
;
Liu XY (Liu Xinyu)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
收藏
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浏览/下载:135/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525
作者:
Xiao Hongling
;
Wang Cuimei
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1557-1561
Luo Weijun
;
Chen Xiaojuan
;
Liang Xiaoxin
;
Ma Xiaolin
;
Liu Xinyu
;
Wang Xiaoliang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23