机构

• 微电子研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 外文期刊 [5]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   Study of strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Xu, QX;  Liu, BG   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Layer Superlattices  Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Specimens  Crystals   Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs 外文期刊  OAI收割 2007 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Liu, HH;  Han, ZS;  Ye, TC   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊  OAI收割 2006 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊  OAI收割 2006 作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Qi, XY;  Xu, QX;  Li, HO   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Mobility Enhancement  Layer Superlattices  Elastic Relaxation  Specimens