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上海微系统与信息技... [33]
金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [34]
内容类型
期刊论文 [34]
发表日期
2017 [1]
2010 [3]
2009 [5]
2008 [8]
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学科主题
Physics, ... [34]
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共34条,第1-10条
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学科主题:Physics, Applied
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Wide-band microwave absorption by in situ tailoring morphology and optimized N-doping in nano-SiC
期刊论文
OAI收割
AMER INST PHYSICS, 2017, 卷号: 111, 期号: 22, 页码: -
作者:
Hua, An
;
Wei, Feng
;
Pan, Desheng
;
Yang, Liang
;
Feng, Yang
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提交时间:2018/01/10
Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 80212-80212
Ren, K
;
Rao, F
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Zhou, XL
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Xi, W
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
SB2TE3
FILMS
ALLOYS
Ge2Sb2Te5 Phase Change Memory Cell Featuring Platinum Tapered Heating Electrode For Low-Voltage Operation
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: -
Lv, SL
;
Song, ZT
;
Liu, Y
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
FOCUSED ION-BEAMS
TECHNOLOGY
Phase Change Memory Based on (Sb2Te3)(0.85)-(HfO2)(0.15) Composite Film
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010, 卷号: 3, 期号: 11, 页码: 111201-111201
Lu, YG
;
Song, SN
;
Song, ZT
;
Yao, DN
;
Xi, W
;
Yin, WJ
;
Zheng, H
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
ELECTRICAL-PROPERTIES
CELL
Simulation of Phase Change Random Access Memory for Low Reset Current and High Thermal Efficiency by Finite Element Modeling
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 64505-64505
Gong, YF
;
Ling, Y
;
Song, ZT
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
DEVICE
MEDIA
Study on Adhesive Strength between Ge2Sb2Te5 Film and Electrodes for Phase Change Memory Application
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 101601-101601
Liu, YB
;
Zhang, T
;
Zhang, GX
;
Niu, XM
;
Song, ZT
;
Min, GQ
;
Lin, Y
;
Zhang, J
;
Zhou, WM
;
Zhang, JP
;
Chu, JT
;
Wan, YZ
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
CRYSTALLIZATION
RESISTANCE
Achieving Multiple Resistance States in Phase-Change Memory Cell
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 7, 页码: 74501-74501
Wang, K
;
Han, XD
;
Zhang, Z
;
Wu, LC
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
TRANSITION
Three-Dimensional Numerical Simulation of Phase-Change Memory Cell with Probe like Bottom Electrode Structure
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: 24502-24502
Liu, Y
;
Song, ZT
;
Ling, Y
;
Gong, YF
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
Si2Sb2Te6 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009, 卷号: 2, 期号: 9, 页码: 91401-91401
Zhou, XL
;
Wu, LC
;
Song, ZT
;
Rao, F
;
Liu, B
;
Yao, DN
;
Yin, WJ
;
Li, JT
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201
Shen, J
;
Liu, B
;
Song, Z
;
Xu, C
;
Rao, F
;
Liang, S
;
Feng, S
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
CHANGE OPTICAL DISK
PHASE-CHANGE MEMORY
GE2SB2TE5 FILM
HIGH-DENSITY
DEVICE