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半导体研究所 [14]
采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
期刊论文 [14]
发表日期
2009 [9]
2008 [5]
学科主题
半导体物理 [14]
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浏览/检索结果:
共14条,第1-10条
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限定条件
学科主题:半导体物理
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Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 076104
作者:
Wang LJ
;
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/03/08
DENSITIES
CRYSTALS
LAYERS
The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
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提交时间:2010/03/08
GaN
InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107302
Wang H (Wang Hui)
;
Zhu JH (Zhu Ji-Hong)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
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提交时间:2010/03/08
TRANSPORT CHARACTERISTICS
The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104
Zhu, JH (Zhu, J. H.)
;
Wang, LJ (Wang, L. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Yang, H (Yang, H.)
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提交时间:2010/03/08
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yang H (Yang Hui)
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提交时间:2010/03/08
GaN
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 058501
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Wang H
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浏览/下载:195/36
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提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL GAN
HETEROJUNCTION
DETECTORS
PHOTODIODES
LAYER
Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283
作者:
Ji L
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
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提交时间:2010/03/08