机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2016 [1]
• 2015 [3]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The Comparison of Current Ratio ION/IOFF and Mobility Between SiGe Substrate and GaAs Substrate In₀.₂₃Ga₀.₇₇As Channel MOSFETs 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 卷号: 63, 期号: 8, 页码: 3084-3087 Xiangting Kong; Renrong Liang; Xuliang Zhou; Shiyan Li; Mengqi Wang; Honggang Liu; Jing Wang; Wei Wang; Jiaoqing Pan 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2017/03/10 High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2015, 卷号: 62, 期号: 5, 页码: 1456-1459 Xiangting Kong; Xuliang Zhou; Shiyan Li; Hudong Chang; Honggang Liu; Jing Wang; Renrong Liang; Wei Wang; Jiaoqing Pan 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/03/23 Evaluation of growth mode and optimization of growth parameters for GaAs epitaxy in V-shaped 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2015, 卷号: 426, 页码: 147-152 Shiyan Li; Xuliang Zhou; Xiangting Kong; Mengke Li; Junping Mi; Jing Bian; Wei Wang; Jiaoqing Pan 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/03/23 Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2015, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 028101 Li ShiYan; Zhou XuLiang; Kong XiangTing; Li MengKe; Mi JunPing; Bian Jing; Wang Wei; Pan JiaoQing 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/03/23