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Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface 外文期刊  OAI收割
2010
作者:  Liu, XY;  Bai, Y;  Liu, J;  Ma, P;  Li, B
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Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2) 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  Li, WL;  Jia, R;  Chen, C;  Wu, NJ;  Tamotsu, H
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26
Deposition of SiOx films with a capacitively-coupled plasma at atmospheric pressure 外文期刊  OAI收割
2007
作者:  Xu, XY;  Li, L;  Wang, SG;  Zhao, LL;  Ye, TC
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26
Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 外文期刊  OAI收割
2007
作者:  Luo, WJ;  Wei, K;  Chen, XJ;  Li, CZ;  Liu, XY
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26
Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊  OAI收割
2006
作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Qi, XY;  Xu, QX;  Li, HO
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Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 外文期刊  OAI收割
2005
作者:  Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Ran, JX
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Orientational self-assembled field-effect transistors based on a single-walled carbon nanotube 外文期刊  OAI收割
2005
作者:  Li, XL;  Liu, YQ;  Shi, DC;  Sun, YM;  Yu, G
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