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• 半导体研究所 [26]

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学科主题

• 半导体材料 [26]

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浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Low temperature one-step growth of AlON thin films with homogenous nitrogen doping profile by plasma enhanced atomic layer deposition 期刊论文  OAI收割 ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 期号: 44, 页码: 38662-38669 作者:  Hong-Yan Chen;  Hong-Liang Lu;  Jin-Xin Chen;  Feng Zhang;  Xin-Ming Ji 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/06/15 High efficiency, single-lobe surface-emitting DFB/DBR quantum cascade lasers. 期刊论文  OAI收割 opt express, 2016, 卷号: 24, 期号: 17, 页码: 19545-19551 Ying-hui Liu; Jin-chuan Zhang; Fang-liang Yan; Zhi-wei Jia; Feng-qi Liu; Ping Liang; Ning Zhuo; Shen-qiang Zhai; Li-jun Wang; Jun-qi Liu; Shu-man Liu; Zhan-guo Wang 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/10 High-power phase-locked quantum cascade laser array emitting at λ ∼ 4.6 μm 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 035022 Fang-Liang Yan; Jin-Chuan Zhang; Zhi-Wei Jia; Ning Zhuo; Shen-Qiang Zhai; Shu-Man Liu; Feng-Qi Liu; Zhan-Guo Wang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/10 InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes with active multimode interferometer configuration 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 048102 Li Xin-Kun; Jin Peng; Liang De-Chun; Wu Ju; Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/09/17 Surface emitting quantum cascade lasers operating in continuous-wave mode above 70 °C at λ~ 4.6 μm 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 041121 - 041121-4 Yao, Dan-Yang; Zhang, Jin-Chuan; Liu, Feng-Qi; Zhuo, Ning; Yan, Fang-Liang; Wang, Li-Jun; Liu, Jun-Qi; Wang, Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/02/12 InAsGaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes by Using with active multimode interferometer configuration 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 048102 Li Xin-Kun, Jin Peng, Liang De-Chun, Wu Ju, Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/03/18 InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 028102 Li, Xin-Kun; Liang, De-Chun; Jin, Peng; An, Qi; Wei, Heng; Wu, Jian; Wang, Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/04/19 InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 28102 Li, XK; Liang, DC; Jin, P; An, Q; Wei, H; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17 Short-wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 108503 Liang, DC; An, Q; Jin, P; Li, XK; Wei, H; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/02/06 InAlGaAs quantum dot  superluminescent diode  optical coherence tomography  short wavelength  OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY  RESOLUTION   Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: art. no. 151904 作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：185/32  |  提交时间：2010/05/04 alloying  annealing  electrical conductivity  excitons  II-VI semiconductors  magnesium compounds  MOCVD coatings  photoluminescence  positron annihilation  semiconductor thin films  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors  zinc compounds  SEMICONDUCTORS  EMISSION  ORIGIN  DIODES