机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2017 [1]
• 2016 [4]

学科主题

• 光电子学 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文  OAI收割 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466 作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文  OAI收割 surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/10 The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124 P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/10 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 materials technology, 2016 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/10