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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Measurement of the jet mass in highly boosted t(t)over-bar events from pp collisions at root s=8tev 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal c, 2017, 卷号: 77, 期号: 7, 页码: 28 作者:  Sirunyan, A. M.;  Tumasyan, A.;  Adam, W.;  Asilar, E.;  Bergauer, T. 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/04/23 Measurements of j/psi decays into omega pi(0), omega eta, and omega eta(') 期刊论文  iSwitch采集 Physical review d, 2006, 卷号: 73, 期号: 5, 页码: 9 作者:  Ablikim, M;  Bai, JZ;  Ban, Y;  Bian, JG;  Cai, X 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/04/23 Measurement of the branching fractions for j/psi ->gamma pi(0), gamma eta and gamma eta(') 期刊论文  iSwitch采集 Physical review d, 2006, 卷号: 73, 期号: 5, 页码: 10 作者:  Ablikim, M;  Bai, JZ;  Ban, Y;  Bian, JG;  Cai, X 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/04/23 Observation of a resonance x(1835) in j/psi ->gamma pi(+)pi(-)eta(') 期刊论文  iSwitch采集 Physical review letters, 2005, 卷号: 95, 期号: 26, 页码: 5 作者:  Ablikim, M;  Bai, JZ;  Ban, Y;  Bian, JG;  Cai, X 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/04/23 Silicon-on-insulator-based waveguide switch with fast response 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 139-141 作者:  Chen, YY;  Li, YT;  Xia, JS;  Liu, JW;  Chen, SW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Reduction of tensile stress in gan grown on si(111) by inserting a low-temperature aln interlayer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 316-321 作者:  Zhang, BS;  Wu, M;  Liu, JP;  Chen, J;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitride  Semiconductor iii-v materials   A study of the degree of relaxation of algan epilayers on gan template 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 289-294 作者:  Zhang, JC;  Wu, MF;  Wang, JF;  Liu, JP;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 High resolution x-ray diffraction  Rutherford backscattering/channeling  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides  Semiconducting gallium compounds   Indium mole fraction effect on the structural and optical properties of quaternary alingan epilayers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 15, 页码: 2060-2063 作者:  Liu, JP;  Jin, RQ;  Zhang, JC;  Wang, JF;  Wu, M 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 The influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 24-29 作者:  Zhang, JC;  Zhao, DG;  Wang, JF;  Wang, YT;  Chen, J 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Buffer layer  Line defects  X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Gallium compounds  Nitrides   Investigations on v-defects in quaternary alingan epilayers 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 26, 页码: 5449-5451 作者:  Liu, JP;  Wang, YT;  Yang, H;  Jiang, DS;  Jahn, U 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12